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J-GLOBAL ID：200903089669718361

電力用半導体素子の駆動回路

Inventor：
中山 靖

About 中山 靖

, 
大井 健史

About 大井 健史


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 田澤 博昭 ,  加藤 公延
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002283663
Publication number (International publication number)：2004119842
Application date： Sep. 27, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】ゲート抵抗が小さくて、過電流の上昇率di/dtが小さいと、ゲート電圧の上昇量が低くなる。ゲート電圧の上昇量が低い場合には、過電流発生の検出精度が劣化して、過電流の発生を確実に検出することができないなどの課題があった。【解決手段】IGBT11のゲートからオンMOSトランジスタ23を見たときのインピーダンスが、オンMOSトランジスタ23からIGBT11のゲートを見たときのインピーダンスよりも高いインピーダンス回路24をIGBT11のゲートとオンMOSトランジスタ23間に挿入する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
制御回路から電力用半導体素子のオン指令を受けると、その電力用半導体素子の制御端子に印加する制御電圧を発生する制御電圧発生手段と、上記電力用半導体素子の制御端子と上記制御電圧発生手段間に挿入され、上記制御電圧発生手段から制御電圧が印加されていない状態のときの上記制御端子から上記制御電圧発生手段を見たインピーダンスが、上記制御電圧発生手段から上記制御端子と上記制御電圧発生手段間に制御電圧が印加されている状態のときの上記制御電圧発生手段から上記制御端子を見たインピーダンスよりも高いインピーダンス回路と、上記インピーダンス回路に印加される電圧を監視して、過電流の発生を検出する過電流検出手段とを備えた電力用半導体素子の駆動回路。
IPC (4)：
H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687
FI (3)：
H01L27/04 H ,  H03K17/08 Z ,  H03K17/687 Z
F-Term (23)：
5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH11 ,  5F038DF01 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX32 ,  5J055AX53 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055EX06 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055FX04 ,  5J055FX12 ,  5J055FX33 ,  5J055GX02 ,  5J055GX05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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