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J-GLOBAL ID：200903089677352830

化合物半導体発光ダイオード

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118880
Publication number (International publication number)：1995326793
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電流拡散及び電流阻止層の機能を備えたプレーナ形のLEDを得る。【構成】 ドナー不純物及びアクセプター不純物の双方が注入されてなる層をクラッド層として利用する。【効果】 構造が簡略化され且つ発光面積の拡大をもたらす効果がある。

Claim (excerpt)：

(Alx Ga1-x )y In1-y P層を発光層として含むダブルヘテロ構造を有する発光ダイオードに於いて、該発光層とヘテロ接合している上部クラッド層のドナー不純物またはアクセプター不純物がイオン注入されてなることを特徴とする化合物半導体発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-180118   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開昭57-128989