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J-GLOBAL ID：200903089728430890

磁気抵抗素子、磁性薄膜メモリ素子および該メモリ素子の記録再生方法

Inventor： 西村 直樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998256965
Publication number (International publication number)：1999154389
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 磁化情報の保存性高く高い集積度と信頼性を実現でき、安定した録再ができ、非磁性層の製造マージンが広く、再生時間が短く、ノイズの少ない再生方法を実現できる磁性薄膜素子、磁性薄膜メモリ素子および該メモリ素子の記録再生方法を提供する。【解決手段】 基板上に、閉磁路構造で低い保磁力を有する第一磁性層1と、閉磁路構造で高い保磁力を有する第二磁性層2が、絶縁体4からなる非磁性層3を介して積層され、該第一磁性層1および該第二磁性層2は左回りもしくは右回りに容易軸を有し、該第一、第二磁性層の磁化方向の相対角度によって、異なる抵抗値を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、閉磁路構造で低い保磁力を有する第1磁性層と、閉磁路構造で高い保磁力を有する第2磁性層が、絶縁体からなる非磁性層を介して積層され、該第1磁性層および該第2磁性層は左回りもしくは右回りに容易軸を有し、該第1、第2磁性層の磁化方向の相対角度によって、異なる抵抗値を有することを特徴とする磁気抵抗素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-244991   Applicant：ティーディーケイ株式会社