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J-GLOBAL ID：200903089729350997

配線コンタクトの形成方法

Inventor： 塚本 雅則
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188397
Publication number (International publication number)：1995045710
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールを自己整合によって形成でき、信頼性の高い配線コンタクトを行う。【構成】 凹凸表面を有する絶縁層31例えば層間絶縁層に配線コンタクトのコンタクトホールを穿設する工程を有する配線コンタクトの形成方法において、絶縁層31上のコンタクトホールの形成部以外に平坦化絶縁層32を堆積する工程と、この平坦化絶縁層32上から異方性エッチングを行い、コンタクトホールの穿設と、凹凸表面の平坦化とを同時に行う。

Claim (excerpt)：

凹凸表面を有する絶縁層に配線コンタクトのコンタクトホールを穿設する工程を有する配線コンタクトの形成方法において、上記絶縁層上の上記コンタクトホールの形成部の上層配線側開口部以外に平坦化絶縁層を堆積する工程と、該平坦化絶縁層上から異方性エッチングを行って、平坦化部にコンタクトホールの穿設を行うことを特徴とする配線コンタクトの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 27/08 102 D ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-229616
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-126562   Applicant：株式会社東芝