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J-GLOBAL ID：200903089765583078

有機薄膜電界効果トランジスター

Inventor： 星野 聰 ,  鎌田 俊英 ,  八瀬 清志
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002234920
Publication number (International publication number)：2004079623
Application date： Aug. 12, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】高い性能を示し、かつソース電極-ドレイン電極間に流れるOFF電流の少ない低消費電力の有機薄膜電界効果トランジスターを提供すること。【解決手段】少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体薄膜を含む有機薄膜電界効果トランジスターにおいて、ゲート絶縁膜の上に配置される有機半導体薄膜の表面上に配置されていた前記ソース電極、ドレイン電極を有機半導体薄膜内中央に配置することで、電界効果トランジスター特性を維持しつつ、OFF電流が抑制された高性能のトランジスターを提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体薄膜を含む有機薄膜電界効果トランジスターであって、ゲート絶縁膜上に配置される有機半導体薄膜内中央に前記ソース電極、ドレイン電極を配置したことを特徴とする有機薄膜電界効果トランジスター。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/28

F-Term (18)：

5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機電界効果型素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205286   Applicant：株式会社東芝