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J-GLOBAL ID：200903089768128096

導電性高分子上への金属粒子の光析出方法

Inventor：
桑畑 進

About 桑畑 進


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 科学技術振興機構

About 独立行政法人 科学技術振興機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002298066
Publication number (International publication number)：2004131806
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：
【課題】析出した金属粒子の全てを触媒として利用できる方法を提供する。【解決手段】金属イオンと正孔捕捉剤とを含む電解液中で、導電性高分子上へ金属粒子を析出する方法であって、導電性高分子に光照射することで、価電子帯の電子を伝導帯に励起し価電子帯に正孔を形成する正孔形成工程と、励起された電子によって、上記金属イオンを還元する還元工程とを含む導電性高分子への金属粒子の光析出方法とする。そしてこの方法によって金属粒子が析出された導電性高分子を、触媒として利用する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
金属イオンと正孔捕捉剤とを含む電解液中で、導電性高分子上へ金属粒子を析出する方法であって、 導電性高分子に光照射することで、価電子帯の電子を伝導帯に励起し価電子帯に正孔を形成する正孔形成工程と、 励起された電子によって、上記金属イオンを還元する還元工程とを含むことを特徴とする導電性高分子上への金属粒子の光析出方法。
IPC (3)：
C23C18/14 ,  B01J31/28 ,  C23C18/42
FI (3)：
C23C18/14 ,  B01J31/28 Z ,  C23C18/42
F-Term (23)：
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA22A ,  4G069BA22B ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069CC32 ,  4G069FA02 ,  4G069FB14 ,  4G069FB18 ,  4G069FB20 ,  4K022AA13 ,  4K022AA25 ,  4K022AA43 ,  4K022BA18 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01 ,  4K022DA08 ,  5H018AA01 ,  5H018BB17 ,  5H018DD08 ,  5H018EE03 ,  5H018EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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