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J-GLOBAL ID：200903089809705591

処理方法及び処理装置

Inventor： 畑 次郎 ,  浜 貴一 ,  本郷 俊明
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994329329
Publication number (International publication number)：1995312348
Application date： Dec. 01, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 誘導手段によるプラズマ処理に伴う処理ガスや反応生成物が、処理容器の壁面に形成された誘電体面に付着することを防止できる手段を提供する。【構成】 気密な処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加されることにより、処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化され、処理容器内において載置台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理方法において、前記誘電体内面と処理ガス供給手段の間に非堆積性ガスが供給される構成を有する。

Claim (excerpt)：

気密な処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加されることにより、処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化され、処理容器内において載置台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理方法において、前記誘電体内面と処理ガス供給手段の間に非堆積性ガスが供給されることを特徴とする、処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-166971
  
• 特開平2-114530
  
• 酸化シリコン膜形成方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-223128   Applicant：日新電機株式会社
• 有磁場誘導結合プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-296832   Applicant：キヤノン株式会社