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J-GLOBAL ID：200903089841923860

化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子

Inventor： 細羽 弘之 ,  須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  兼岩 進治 ,  近藤 雅文 ,  幡 俊雄 ,  大林 健
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190818
Publication number (International publication number)：2002064250
Application date： Mar. 03, 1992
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明では、特にGaAs基板上に形成する化合物半導体において、結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体の成長方法及び電気的及び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明では、GaAs基板上に、InxGayAl1-x-yN層(0≦x,y≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該InxGayAl1-x-yN層に、原子半径がNよりも大きいV族元素を1×1017cm-3から1×1023cm-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、InxGayAl1-x-yN層(0≦x,y≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該InxGayAl1-x-yN層に、原子半径がNよりも大きいV族元素を1×1017cm-3から1×1023cm-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含むことを特徴とする化合物半導体の成長方法。

IPC (2)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C

F-Term (10)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-045809   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭49-029770
  
• 特開平3-080198