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J-GLOBAL ID：200903089908335038

高周波用半導体装置

Inventor： 北澤 謙治 ,  郡山 慎一
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995342296
Publication number (International publication number)：1997186268
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来の高周波用半導体装置においては、反射損、放射損が発生したり、、高周波領域で透過損失が急激に大きくなる等信号を特性劣化無しで伝送することが非常に困難であり、小型化も難しかった。【解決手段】誘電体材料からなる絶縁基板2と蓋体3により形成されるキャビティ4内部に半導体素子5や回路部品が搭載された半導体装置1において、キャビティ4内部の絶縁基板2の表面に半導体素子5に給電するための第1の高周波用伝送線路8と、絶縁基板2内に形成されたアース層6と、絶縁基板2の底面に形成された第2の高周波用伝送線路10を具備するとともに、伝送線路8と伝送線路10とをアース層6に形成されたスロット孔11を介して電磁結合し、第2の伝送線路10の一部に接続端子16を形成し、接続端子16により外部回路基板に直接半田実装する。

Claim (excerpt)：

誘電体材料からなる絶縁基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に半導体素子が搭載された半導体装置において、前記キャビティ内部の前記絶縁基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の高周波用伝送線路と、前記絶縁基板の底面に第2の高周波用伝送線路とを、前記絶縁基板を介して対峙する位置に形成して電磁結合させるとともに、前記第2の高周波用伝送線路の一部に外部回路基板に直接半田実装可能な接続端子を形成したことを特徴とする高周波用半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 23/12 301 C ,  H01L 23/12 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置用パツケージの入出力結合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-245802   Applicant：住友電気工業株式会社