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J-GLOBAL ID：200903089938874448

ウエハー乾燥方法

Inventor： 大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266384
Publication number (International publication number)：1994120199
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ウエハー乾燥と水素ターミネートの同時処理が可能で、大量処理、工程削減が実施され、汚染が無く、かつ完全な水素ターミネートが可能なウエハー乾燥方法を提供することを目的とする。【構成】 イナートガスと水素ガスを混合する混合ガス製造工程と前記混合ガス中の水素をラジカル化する水素ラジカル製造工程と水素ラジカルを含んだ第一の混合ガスを乾燥チャンバーに導入するガス導入工程と乾燥チャンバー内で第一の混合ガスにより薬液洗浄工程後のウエハーを乾燥すると同時にダングリングボンドに対し水素ターミネートする乾燥工程とからなることを特徴とするウエハー乾燥方法。

Claim (excerpt)：

イナートガスと水素ガスを混合する混合ガス製造工程と前記混合ガス中の水素をラジカル化する水素ラジカル製造工程と水素ラジカルを含んだ第一の混合ガスを乾燥チャンバーに導入するガス導入工程と乾燥チャンバー内で第一の混合ガスにより薬液洗浄工程後のウエハーを乾燥すると同時にダングリングボンドに対し水素ターミネートする乾燥工程とからなることを特徴とするウエハー乾燥方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304 351

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 分子線エピタキシャル成長法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-043206   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-265660   Applicant：株式会社日立製作所