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J-GLOBAL ID：200903089982029097

プラズマ処理装置

Inventor： 田中 貴雄 ,  齋場 孝司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006083803
Publication number (International publication number)：2007258096
Application date： Mar. 24, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】低出力あるいは低周波の電源を用いても、プラズマを安定して発生させることができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置1Aは、互いに間隔を隔てて対向する1対の電極12、13を有し、1対の電極12、13間のプラズマ生成空間19に所定の処理ガスG1を流通させつつ、1対の電極12、13間に電圧を印加することにより電界を生じさせて、処理ガスG1を活性化してプラズマを生成し、プラズマをワークWに向けて放出して、該ワークを処理するものであって、プラズマ生成空間19に供給される処理ガスG1を加熱するヒーター40を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに間隔を隔てて対向する1対の電極を有し、 前記1対の電極間の空間に所定の処理ガスを流通させつつ、前記1対の電極間に電圧を印加することにより電界を生じさせて、前記処理ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマをワークに向けて放出して、該ワークを処理するプラズマ処理装置であって、 前記空間に供給される前記処理ガスを加熱する加熱手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/24 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/503

FI (3)：

H05H1/24 ,  H01L21/302 101E ,  C23C16/503

F-Term (14)：

4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  5F004BB02 ,  5F004BB11 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-012347   Applicant：セイコーエプソン株式会社