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J-GLOBAL ID:200903090026170430

多層回路基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997090970
Publication number (International publication number):1998284843
Application date: Apr. 09, 1997
Publication date: Oct. 23, 1998
Summary:
【要約】【課題】最外層の導電回路に接続されたバイアホールを有する多層回路基板において、バイアホールの信頼性を高めた多層回路基板を提供する。【解決手段】バイアホール用小孔の底部となる導体回路層の表面をエッチングやデスミア処理して、該表面の炭素濃度を6×10-8g/mm2 以下とした後、半田や銅メッキ等で電気的に接続することでバイアホールを形成してなる多層回路基板、及びエッチングにより前記炭素濃度を達成する多層回路基板の製造方法。
Claim (excerpt):
基板の少なくとも一主面上に絶縁層を介して複数の導体回路層を載置し、しかも最外層の導体回路層から最外層でない導体回路層に電気的に接続するための小孔を設けてなる多層回路基板であって、前記小孔の底面の炭素濃度が6×10-8g/mm2 以下であることを特徴とする多層回路基板。
IPC (2):
H05K 3/46 ,  H05K 3/00
FI (3):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X ,  H05K 3/00 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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