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J-GLOBAL ID：200903090038046386

波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス、並びにそれらの製造方法

Inventor： 北岡 康夫 ,  水内 公典 ,  山本 和久
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998247635
Publication number (International publication number)：1999289131
Application date： Sep. 01, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ジャンクションダウン実装した場合にも安定した波長可変動作が実現できる波長可変半導体レーザを提供するとともに、基板厚さ方向の実装精度を向上させて、半導体レーザチップからのレーザ光を光導波路デバイスの光導波路に高効率に結合させることができる光集積化デバイスを提供する。【解決手段】 波長可変半導体レーザが、サブマウントと、該サブマウントの上に実装されている、少なくとも活性層領域と分布ブラッグ反射領域とを有する半導体レーザチップと、を備え、該半導体レーザチップは、エピタキシャル成長面が該サブマウントと向かい合うように、且つ該活性層領域の放熱状態と該分布ブラッグ反射領域の放熱状態とが異なるように、実装されている。上記の波長可変半導体レーザが実装されているサブマウントの上に、更に光導波路デバイスを実装して、光集積化デバイスを構成する。

Claim (excerpt)：

サブマウントと、該サブマウントの上に実装されている、少なくとも活性層領域と分布ブラッグ反射領域とを有する半導体レーザチップと、を備え、該半導体レーザチップは、エピタキシャル成長面が該サブマウントと向かい合うように、且つ該活性層領域の放熱状態と該分布ブラッグ反射領域の放熱状態とが異なるように、該サブマウントの上に実装されている、波長可変半導体レーザ。

IPC (4)：

H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 644 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/37

FI (4)：

H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 644 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-258106   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-351618   Applicant：日本電信電話株式会社