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J-GLOBAL ID:200903090081556517

光電変換効率が良好で耐久性に優れた光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000290467
Publication number (International publication number):2002100420
Application date: Sep. 25, 2000
Publication date: Apr. 05, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明の目的は、優れた光電変換効率と安定性とを両立する光電変換材料用半導体並びに光電変換素子を提供することにある。さらに、この光電変換材料用半導体および光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。【解決手段】 窒素アニオンと金属カチオンとで形成されるイオン性の配位結合と、窒素原子またはカルコゲン原子と金属カチオンとの間に形成される配位結合の両方を有する有機金属錯体から選ばれる少なくとも一種の有機金属錯体により増感されたことを特徴とする光電変換材料用半導体。
Claim (excerpt):
窒素アニオンと金属カチオンとで形成されるイオン性の配位結合と、窒素原子またはカルコゲン原子と金属カチオンとの間に形成される配位結合の両方を有する有機金属錯体から選ばれる少なくとも一種の有機金属錯体により増感されたことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (8):
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS05 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE06 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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