Pat

J-GLOBAL ID：200903090085028574

光電変換装置

Inventor： 新楽 浩一郎 ,  白間 英樹
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997078658
Publication number (International publication number)：1998275923
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低コストで作製が容易で高効率な光電変換装置を提供すること。【解決手段】 基板1の一主面上に、金属層2、結晶酸化物層3、及びpn接合を有する複数層のシリコン半導体層7が順次積層されて成るとともに、金属層2とシリコン半導体層7とが結晶酸化物層3に接する状態で、金属シリサイド層Nを介して接続され、金属層2及びシリコン半導体層7の上部層から出力を取り出すようにした光電変換装置P。

Claim (excerpt)：

基板の一主面上に、金属層、結晶酸化物層、及びpn接合を有する複数層のシリコン半導体層が順次積層されて成るとともに、前記金属層の一部と前記シリコン半導体層の下部層の一部とが金属シリサイド層を介して接続されて成り、前記金属層及び前記シリコン半導体層の上部層から出力を取り出すようにしたことを特徴とする光電変換装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多結晶シリコンデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050844   Applicant：キヤノン株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-072521   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平1-103882