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J-GLOBAL ID：200903090099495884

圧電体薄膜素子

Inventor： 田村 孝 ,  高橋 和夫 ,  二瓶 ゆかり ,  本多 順一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001217998
Publication number (International publication number)：2003031863
Application date： Jul. 18, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 圧電体薄膜の結晶化熱処理条件に影響されず、製造に厳密な制御を必要としない〈111〉方位へ高配向したPZT系の圧電体薄膜素子圧を提供する。【解決手段】 (111)配向のPt下部電極とその上に形成された(111)配向の圧電体薄膜とで、その格子面間隔の差がPt下部電極の(111)面間隔に対して2%以内となるように製造する。

Claim (excerpt)：

Pt下部電極と、該Pt下部電極上に形成されたPb,Zr,TiおよびOを主成分とするペロブスカイト型圧電体薄膜とを少なくとも備えてなる圧電体薄膜素子において、前記ペロブスカイト型圧電体薄膜の(111)の面間隔と前記Pt下部電極の(111)の面間隔との差が、Pt下部電極の(111)の面間隔に対して2%以内であることを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (3)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187

FI (3)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/18 101 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• PZT系強誘電体薄膜およびその形成方法ならびに同薄膜を用いた機能素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-038055   Applicant：工業技術院長
• 電子部品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-031658   Applicant：株式会社東芝