プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344736
Publication number (International publication number)：1999251304
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】被処理物の特定の部分にのみプラズマ処理を行いやすく、しかも被処理物を連続的に処理することができて処理時間を短くすることができるプラズマ処理システムを提供する。【解決手段】外側電極1を備えた筒状の反応管2、及び反応管2の内部に配置される内側電極3を具備して構成される。外側電極1と内側電極3の少なくとも一方に冷却手段を設けて構成される。反応管2に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極1と内側電極3の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管2の内部にグロー放電を発生させ、反応管2からプラズマジェット65を吹き出すプラズマ処理装置。プラズマジェット65が吹き出される位置に被処理物7を搬送する搬送装置23とを備える。大気圧下で周波数の高い交流でプラズマを生成しても、外側電極1あるいは内側電極3の温度上昇を抑えることができる。

Claim (excerpt)：

外側電極を備えた筒状の反応管、及び反応管の内部に配置される内側電極を具備し、外側電極と内側電極の少なくとも一方に冷却手段を設けて構成され、反応管に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極と内側電極の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管の内部にグロー放電を発生させ、反応管からプラズマジェットを吹き出すプラズマ処理装置と、プラズマジェットが吹き出される位置に被処理物を搬送する搬送装置とを備えて成ることを特徴とするプラズマ処理システム。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/304 645 , H05H 1/24 , H05H 1/52

FI (6)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 F , C23F 4/00 A , H01L 21/304 645 C , H05H 1/24 , H05H 1/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317025 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平4-368800
プラズマ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-153547 Applicant：株式会社アイ・エヌ・アール研究所

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