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J-GLOBAL ID：200903008775844562

プラズマ加工方法

Inventor：
井上 潔

About 井上 潔


Applicant, Patent owner：
株式会社アイ・エヌ・アール研究所

About 株式会社アイ・エヌ・アール研究所


Agent (1)： 最上 正太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993153547
Publication number (International publication number)：1995024579
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Jan. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】 特に工程が簡略で、処理のため多量の洗浄液などを必要とせず、低コストで公害発生の恐れのない新規なプラズマ加工方法を提供する。【構成】 線状電極、針状電極等を用い、それらを小型の無塵チャンバー内で被加工面に対向させ、両者の相対位置を二次元的又は三次元的にNC制御すると共に、その電極と基板の間に加工気体を供給しつゝ高電圧を印加して、極微小領域に限定されたプラズマを発生させ、そのプラズマにより被加工面の物質除去、拡散、析出その他の加工を行ない得るようにする。【効果】 極めて簡単な装置により、プラズマを利用して、例えば半導体、セラミックス等の絶縁体、強磁性体、高導磁率材、永久磁石材、金属等の各種材料の表面に、拡散、析出、焼結、薄膜形成等の加工を施すことができる。
Claim (excerpt)：
電極と被加工体を対向せしめ両者間に電圧を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマを用いて被加工体に所望の加工を行うプラズマ加工方法に於いて、電極として細線状、又は、鋭利なピンポイント若しくは鋭いエッジを有する電極を用い、その細線状電極、又は電極のピンポイント若しくはエッジを、微小間隔を介して被加工体の加工部位に対向させ、その対向部位に所望の加工ガスを供給し、かつ電極と被加工体の相対位置を数値制御しつゝ、電極と被加工体の間に高電圧を印加して局部的なプラズマを発生させ、その局部的プラズマを被加工部に接触させ、所望の加工を施すことを特徴とする上記のプラズマ加工方法。
IPC (5)：
B23K 10/00 502 ,  B23K 10/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/32
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
  • 特開平4-212253
  • 特開平4-009277
  • 特開平1-208450
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Cited by examiner (2)
  • 特開平4-212253
  • 特開平4-009277

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