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J-GLOBAL ID:200903090141489121

マイクロ構造体の形成法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994215861
Publication number (International publication number):1996084484
Application date: Sep. 09, 1994
Publication date: Mar. 26, 1996
Summary:
【要約】【目的】 マイクロ構造体及び基板の材料に制約されることなくマイクロ構造体上に電極パターンを形成して基板と電気的接続が可能な優れたマイクロ構造体の形成法を提供する。【構成】 第1基板上に樹脂膜より成る犠牲層及び接着層を形成する工程、第2基板上に構造体層を形成する工程、前記接着層を介して第1基板と構造体層を接着する工程、前記第2基板を除去する工程、前記構造体層と第1基板とを接続するための支持層を形成する工程、並びに前記犠牲層及び接着層を除去する工程、を有するマイクロ構造体の形成法が提供される。
Claim (excerpt):
マイクロ構造体を形成する方法において、該方法が、(1)第1基板上に樹脂膜より成る犠牲層及び接着層を形成する工程、(2)第2基板上に構造体層を形成する工程、(3)前記接着層を介して第1基板と構造体層を接着する工程、(4)前記第2基板を除去する工程、(5)前記構造体層と第1基板とを接続するための支持層を形成する工程、(6)前記犠牲層及び接着層を除去する工程、から成る各工程を有することを特徴とするマイクロ構造体の形成法。
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
  • 特許第3181174号
  • 真空管の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-189848   Applicant:日本鉱業株式会社
  • 特開平4-296604
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