Pat
J-GLOBAL ID：200903090143624328
発光ダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000010743
Publication number (International publication number)：2001203393
Application date： Jan. 19, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 発光素子部の半導体内部からの光束の損失を抑え、および一度素子から取出された光束を封止樹脂外部へ有効に導出する。【解決手段】 発光素子部1と封止層2との間に位置する発光素子部1の表面を封止層2よりも屈折率の大なる薄膜3で被覆し、この薄膜3の表面に凹凸または丸みを帯びた起伏を形成した。これにより、発光素子部1を形成している屈折率が非常に大きな半導体と、封止層2の封止材料の屈折率との差を小さくでき、半導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくなる。また、一度薄膜3へ入った光は表面の凹凸により、再度表面での全反射が起こりにくくなっているため、発光素子部1から出てくる光を有効に外部に導くことができ、光の取出し効率が改善できる。また、薄膜3は反射防止膜としての機能も有しているため表面反射も抑えられより光の取出し効率が改善される。
Claim (excerpt)：
発光素子部を透光性物質の封止層で被覆した発光ダイオードにおいて、前記発光素子部と封止層との間に位置する前記発光素子部の表面を封止層よりも屈折率の大なる薄膜で被覆し、この薄膜の表面に凹凸または丸みを帯びた起伏を形成したことを特徴とする発光ダイオード。
F-Term (9)：
5F041AA04
, 5F041AA06
, 5F041DA07
, 5F041DA16
, 5F041DA25
, 5F041DA26
, 5F041DA41
, 5F041DA44
, 5F041DA57
Cited by examiner (3)
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特開昭56-071986
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半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-351646
Applicant：株式会社東芝
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ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-306980
Applicant：タキロン株式会社
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