半導体基板の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041709
Publication number (International publication number)：1997237884
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】品質が十分なSOI基板を再現性よく作製する。同時にウエハの再使用等による省資源、コストダウンを実現する。【解決手段】少なくとも1層の非多孔質薄膜が多孔質Si層を介して形成されたSi基体である第1の基体11の主面を、第2の基体15の主面と貼り合わせる工程と、前記第1の基体11と前記第2の基体15との貼合せ基体の側面において前記多孔質Si層を表出させる工程と、前記貼合せ基体を酸化することにより前記多孔質Si層を分割する工程と、前記多孔質Si層の分割により分離された前記第2の基体15側の多孔質Si12および酸化された多孔質Si層16を除去する工程と、を有する半導体基板の作製方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも1層の非多孔質薄膜が多孔質Si層を介して形成されたSi基体である第1の基体の主面を、第2の基体の主面と貼り合わせる工程と、前記第1の基体と前記第2の基体との貼合せ基体の側面において前記多孔質Si層を表出させる工程と、前記貼合せ基体を酸化することにより前記多孔質Si層を分割する工程と、前記多孔質Si層の分割により分離された前記第2の基体側の多孔質Siおよび酸化された多孔質Si層を除去する工程と、を有する半導体基板の作製方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045441 Applicant：キヤノン株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体基体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-264386 Applicant：キヤノン株式会社

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