Pat
J-GLOBAL ID:200903090239974010
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (8):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005186854
Publication number (International publication number):2007000994
Application date: Jun. 27, 2005
Publication date: Jan. 11, 2007
Summary:
【課題】アクチュエータの動作を制御することが容易なMEMSデバイスを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板11と、半導体基板11の上方に設けられ、かつ上方向に動くアクチュエータ25と、アクチュエータ25により駆動される第1の電極層17と、第1の電極層17の上方に設けられ、かつ第2の電極層24を含むキャップ部27とを含む。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、かつ上方向に動くアクチュエータと、
前記アクチュエータにより駆動される第1の電極層と、
前記第1の電極層の上方に設けられ、かつ第2の電極層を含むキャップ部と
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (7):
B81B 3/00
, H01H 59/00
, H01L 41/09
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/193
, H01L 41/22
FI (9):
B81B3/00
, H01H59/00
, H01L41/08 C
, H01L41/08 D
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 102
, H01L41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
米国特許第6,359,374号明細書
-
米国特許第6,377,438号明細書
-
マトリックスリレー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-238566
Applicant:オムロン株式会社
-
マイクロデバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-159626
Applicant:新光電気工業株式会社
-
透過型光変調装置及びその実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-080827
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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Cited by examiner (3)
-
マトリックスリレー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-238566
Applicant:オムロン株式会社
-
マイクロデバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-159626
Applicant:新光電気工業株式会社
-
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-080827
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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