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J-GLOBAL ID：200903021226718551
マイクロデバイスの製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003159626
Publication number (International publication number)：2004358603
Application date： Jun. 04, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：
【課題】本発明は機能部品として光デバイスやMEMS部品が搭載されたマイクロデバイスの製造方法に関し、製造工程中に機能素子に汚染が発生することを確実に防止することを課題とする。【解決手段】光デバイス部27を形成する時に用いられる犠牲層34を除去する犠牲層除去工程と、光デバイス部27が形成された基板22Aにスペーサ23Aを介してガラス板24を配設する工程とを有するマイクロデバイスの製造方法において、犠牲層34が除去される前の光デバイス部27が形成された基板22Aに対し接着剤32を用いてスペーサ23Aを配設し、その後に犠牲層34を除去する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
機能素子を形成する時に用いられる犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
前記機能素子が形成された基板に、スペーサを介してガラス板を配設する工程とを有するマイクロデバイスの製造方法であって、
前記犠牲層が除去される前の前記機能素子が形成された基板に対し、接着剤を用いて前記スペーサを配設するスペーサ配設工程と、
該スペーサ配設工程が終了した後、前記犠牲層除去工程を実施することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
IPC (3)：
B81C3/00
, B81C1/00
, G02B26/08
B81C3/00
, B81C1/00
, G02B26/08 E
2H041AA05
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ08
Cited by examiner (9)
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