半導体層の成長方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子および電子機器

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007133340
Publication number (International publication number)：2008288461
Application date： May. 18, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：

【課題】基板上に成長させる半導体層の面方位や成長面ファセットを選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法を提供する。【解決手段】六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の(1-100)面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、(11-22)面方位または(10-13)面方位を有する半導体層を成長させる。あるいは、六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の(1-102)面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、(11-20)面方位を有する半導体層を(11-22)面ファセット、(0001)面ファセット、(000-1)面ファセット、(33-62)面ファセットおよび(1-100)面ファセットからなる群より選ばれた少なくとも一つのファセットを出しながら成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の(1-100)面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、(11-22)面方位または(10-13)面方位を有する半導体層を成長させるようにしたことを特徴とする半導体層の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L21/205 , H01L33/00 C

F-Term (17)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA61

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

光半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-265311 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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