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J-GLOBAL ID：200903090246187244

薄膜の形成方法

Inventor： 小林 和憲 ,  石原 知明 ,  中村 晃 ,  信定 俊英
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998068048
Publication number (International publication number)：1999264071
Application date： Mar. 18, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 複数枚の基板に連続してITO薄膜を形成したときにITO薄膜のシート抵抗とそのばらつきを変動させないようにする。【解決手段】 ガス導入とともに450Wの放電電力印加で1回目のアイドリング放電(期間t1a)、膜形成と同じ400Wの放電電力印加の中間アイドリング放電(期間t1b)、及び450Wの2回目のアイドリング放電(期間t1c)を行い、スパッタリングガス圧力及びアイドリング放電による中間生成物の圧力の安定化を図った後、放電電力を400Wにしてシャッターを開き、第1枚目の被処理基板にITO薄膜を形成する(t2)。以下、第50枚目の被処理基板へのITO薄膜形成(t5)まで、同様のサイクルを繰り返して薄膜の形成処理を行う(t6)。

Claim (excerpt)：

スパッタリングガスの導入と放電電力の印加によりスパッタリング室で反応性スパッタリングのアイドリング放電を開始し、スパッタリングガス圧力および前記アイドリング放電による中間生成物の圧力を安定させた後、複数枚の被処理基板を順次スパッタリング室に導入して前記被処理基板に反応性スパッタリング処理を施すことにより前記被処理基板に薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (3)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B