半導体チップ接合用基材および半導体チップ接合用半田材および半導体チップ接合用半田材の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114798
Publication number (International publication number)：1994326141
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】半田接合部中に空孔が形成されるのを防ぐ。【構成】基材2と半導体チップ1の間に介装される半田シート21を、中央部を周縁部より厚く形成した。半田シート21は基材2および半導体チップ1と接する中央部から溶融される。この溶融部が徐々に半田シート21の周縁部へ拡がるから、半田接合部中のガスは半田シート21の中央部から周縁部へ移動し、周縁から外部へ出る。半田接合部中に空孔が生じるのを確実に防ぐことができ、半導体チップ1の熱を効率よく放散させることができる。このため、半田接合部および半導体チップ1の長期信頼性を大幅に改善することが可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体チップが半田を介して接合される半導体チップ接合用基材において、半導体チップが接合される半導体チップ接合面を他の部位より突出させ、この突出部を、半導体チップの中央部と対応する部分より側部と対応する部分を低く形成したことを特徴とする半導体チップ接合用基材。

IPC (2)：

H01L 21/52 , B23K 35/40 340

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特公昭42-000424
特開昭54-066073
特開昭63-300519

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