炭素ナノチューブの合成方法及び炭素ナノチューブの合成装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001226015
Publication number (International publication number)：2002121015
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Apr. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】炭素ナノチューブの合成方法及び炭素ナノチューブの合成装置を提供する。【解決手段】触媒を反応器内に導入する段階1100と、触媒が導入された後、反応器内に炭素ソースガス、炭素ソースガスと硫化水素ガス、或いは炭素ソースガスと水素ガスまたは不活性ガスなどを含む反応ガスを提供する段階1200と、触媒が導入された反応器にマイクロウェーブの放射による加熱、電磁気誘導加熱、RF加熱またはレーザを用いた加熱法などにより加熱を行い、反応器内の触媒を局部的に加熱し、局部的に加熱された触媒上から炭素ナノチューブを成長させる段階1300とを含む炭素ナノチューブの合成方法である。そして、炭素ナノチューブの合成装置はこの炭素ナノチューブの合成方法に用いられる。

Claim (excerpt)：

触媒を反応器内に導入する段階と、前記触媒上に炭素ソースガスを含む反応ガスを供給する段階と、前記反応器内の前記触媒を選択的に加熱する局部的な加熱段階と、加熱された前記触媒上から炭素ナノチューブを成長させる段階とを含むことを特徴とする炭素ナノチューブの合成方法。

IPC (6)：

C01B 31/02 101 , B01J 23/745 , B01J 23/75 , B01J 27/043 , B01J 31/04 , D01F 9/127

FI (6)：

C01B 31/02 101 F , B01J 27/043 M , B01J 31/04 M , D01F 9/127 , B01J 23/74 301 M , B01J 23/74 311 M

F-Term (56)：

4G046CA01 , 4G046CC01 , 4G046CC02 , 4G046CC06 , 4G046CC08 , 4G046CC09 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA02A , 4G069BA02B , 4G069BA14A , 4G069BA14B , 4G069BA21A , 4G069BA22A , 4G069BA22B , 4G069BA27A , 4G069BA27B , 4G069BA27C , 4G069BB02A , 4G069BB02B , 4G069BB04A , 4G069BB09A , 4G069BB09B , 4G069BB15A , 4G069BC66A , 4G069BC66B , 4G069BC66C , 4G069BC67A , 4G069BC67B , 4G069BC68A , 4G069BE08A , 4G069BE08B , 4G069BE34A , 4G069BE34B , 4G069BE42C , 4G069CB81 , 4G069EA01 , 4G069EA02X , 4G069FA02 , 4G069FA03 , 4G069FB01 , 4G069FB14 , 4G069FB23 , 4G069FB24 , 4G069FB26 , 4G069FB30 , 4G069FB35 , 4G069FB43 , 4G069FB50 , 4G069FC02 , 4L037CS04 , 4L037FA02 , 4L037PA01 , 4L037PA06 , 4L037PA11 , 4L037PA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

基材上にナノチューブ層を生成する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-526462 Applicant：エレクトロファク,ファブリカツィオーンエレクトロテクニシャースペツィアラルティクテルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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