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J-GLOBAL ID：200903041111205098

基材上にナノチューブ層を生成する方法

Inventor：
マオスナー、クラウス

About マオスナー、クラウス


Applicant, Patent owner：
エレクトロファク,ファブリカツィオーン エレクトロテクニシャー スペツィアラルティクテル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

About エレクトロファク,ファブリカツィオーン エレクトロテクニシャー スペツィアラルティクテル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001526462
Publication number (International publication number)：2003510462
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Mar. 18, 2003
Summary：
【要約】本発明は、CVD法を用いて基材(2)を反応室(1)に挿入することによって基材(2)上にナノチューブ層を生成する方法に関する。上記反応室(1)を炭素を含む気体で置換し、気相からの炭素が基材(2)上にナノチューブを形成しながら沈着する温度まで基材(2)を加熱した後、基材(2)を誘導加熱する。
Claim (excerpt)：
基材(2)を反応室(1)に加え、上記反応室(1)を炭素含有気体で置換し、基材(2)を一定温度まで加熱することにより、炭素が気相から基材(2)上で分離し且つそこにナノチューブを形成するCVD法によって基材(2)上にナノチューブ層を生成する方法であって、基材(2)を誘導加熱することを特徴とする、方法。
IPC (3)：
C23C 16/26 ,  B32B 18/00 ,  C01B 31/02 101
FI (3)：
C23C 16/26 ,  B32B 18/00 B ,  C01B 31/02 101 F
F-Term (27)：
4F100AA37A ,  4F100AB01A ,  4F100AB11A ,  4F100AB31A ,  4F100AD00A ,  4F100AD00B ,  4F100AG00A ,  4F100AH08 ,  4F100AS00B ,  4F100CC10 ,  4F100EH462 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ581 ,  4G046CA02 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030CA03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030KA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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