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J-GLOBAL ID：200903090366113791

基板載置台、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
長谷川 明広

About 長谷川 明広


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337110
Publication number (International publication number)：1997176860
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：
【要約】【課題】プラズマにより成膜やエッチングの処理を行うためのプラズマ処理装置に関し、被処理基板面内の成膜レートやエッチングレートの均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ処理を行う被処理基板24を載置し、被処理基板表面24に直流バイアス電圧を発生させる交流電力を印加する電極18,19が埋め込まれた絶縁物からなる基板載置台16であって、電極18,19は互いに絶縁分離された複数の部分電極18,19に分割され、各部分電極18,19にはそれぞれ周波数の異なる交流電力を供給する交流電源21,23が接続されている。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理を行う被処理基板を載置し、前記被処理基板表面に直流バイアス電圧を発生させる交流電力を印加する電極が埋め込まれた絶縁物からなる基板載置台であって、前記電極は互いに絶縁分離された複数の部分電極に分割され、該各部分電極にはそれぞれ周波数の異なる前記交流電力を供給する交流電源が接続されていることを特徴とする基板載置台。
IPC (5)：
C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5)：
C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平3-177020
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-301271   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • 特開平4-279044
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Cited by examiner (7)
  • 特開平3-177020
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-301271   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • 特開平4-279044
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