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J-GLOBAL ID：200903090427507275

半導体レーザ装置

Inventor： 大歳 創 ,  田中 俊明 ,  皆川 重量 ,  石谷 善博 ,  辻 伸二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994082869
Publication number (International publication number)：1995297476
Application date： Apr. 21, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】GaN系の青色半導体レーザ装置を実現する。【構成】格子整合したGaN/InAlNで構成されたブラッグ反射鏡5、11で歪量子井戸層(活性層)7を挾み、活性層7を[0001]軸から5°〜10°以上傾斜した軸の方向に成長する。【効果】偏光方向が制御された青色の面発光レーザが実現できる。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともウルツ鉱型半導体である活性層、および屈折率の異なる少なくとも2種類の半導体層を周期的に形成してなるブラッグ反射鏡が結晶成長によって形成され、その成長方向と平行な方向に光を放出する面発光型であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219179   Applicant：日本電信電話株式会社