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J-GLOBAL ID：200903090495346816

CVD法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法

Inventor： ジャンマルク・ジラルド ,  クリスチャン・デュサラ
Applicant, Patent owner： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001367126
Publication number (International publication number)：2003168683
Application date： Nov. 30, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】多量の塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、低温化でも十分な成膜速度をもってシリコン(オキシ)窒化物膜をCVD法により製造し得る方法を提供する。【解決手段】シリコン(オキシ)窒化物の前駆体として、式:(R0 )3 -Si-Si-(R0 )3 (I)[ここで、各R0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素原子または-NR1 (R2 )基(ここで、R1 およびR2 は、それぞれ独立に、水素原子またはC1 〜C4 炭化水素基であり、R1 およびR2 が同時に水素原子であることはない)であって、少なくとも1つのR0 は、前記-NR1 (R2 )基である]で示されるヒドロカルビルアミノジシラン化合物を使用する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの基板を収容した反応チャンバ内に、下記式(I):(R0 )3 -Si-Si-(R0 )3 (I)[ここで、各R0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素原子または-NR1 (R2 )基(ここで、R1 およびR2 は、それぞれ独立に、水素原子またはC1 〜C4 炭化水素基であり、R1 およびR2 が同時に水素原子であることはない)であって、少なくとも1つのR0 は、前記-NR1 (R2 )基である]で示されるヒドロカルビルアミノジシラン化合物並びにアンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン化合物およびアジ化水素からなる群の中から選ばれる窒素含有ガスを導入し、反応温度下で該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガスを反応させてシリコン窒化物膜を該基板上に形成することを特徴とするCVD法によるシリコン窒化物膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455

FI (4)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455

F-Term (16)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF55

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 絶縁膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-061079   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-153855   Applicant：ソニー株式会社