ゲート電極およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998059134
Publication number (International publication number)：1999261071
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極の主部を構成するn+ Poly-Si膜の側壁に直接にp+ Poly-Si側壁部が形成されているため、熱処理を行うと不純物の相互拡散が起こり、ゲート電極の仕事関数プロファイルの制御ができなくなる。【解決手段】ゲート電極の主部13を構成するn+ タイプのPoly-Si膜11とその側壁に形成されているゲート電極の副部15を構成するp+ Poly-Siとのように、仕事関数が異なる複数の材料を電気的に接続してなるゲート電極10において、仕事関数が異なる材料間の界面、すなわちゲート電極の主部13とゲート電極の副部15との界面に、不純物および構成元素のうちの少なくとも1種の拡散を防止する拡散防止層14を備えたものである。

Claim (excerpt)：

仕事関数が異なる複数の材料を電気的に接続してなるゲート電極において、前記仕事関数が異なる材料間の界面に、不純物および構成元素のうちの少なくとも1種の拡散を防止する拡散防止層を備えたことを特徴とするゲート電極。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 617 M , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-025000 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-280618 Applicant：株式会社東芝
特開平4-196437

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