半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997283744
Publication number (International publication number)：1999121419
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】薬液処理能力が安定し、半導体装置の歩留まり、信頼性が向上でき、薬液の使用量を抑制でき、コスト削減も可能な半導体基板の処理薬液および半導体基板の薬液処理方法を提供する。【解決手段】第四級アンモニウム水酸化物、オゾンを含有し、OH- 濃度が10-5〜10-3mol/lであり、オゾン濃度が10-5mol/l以上であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第四級アンモニウム水酸化物、オゾンを含有し、OH- 濃度が10-5〜10-3mol/lであり、オゾン濃度が10-5mol/l以上であることを特徴とする半導体基板の処理薬液。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , H01L 21/308

FI (4)：

H01L 21/304 341 L , C11D 7/26 , C11D 7/32 , H01L 21/308 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体基板のオゾン洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253822 Applicant：三菱瓦斯化学株式会社

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