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J-GLOBAL ID：200903090616664845

増感錯体、その製造方法、それを備えた無機/有機ハイブリッド型半導性材料、及び、該材料を備えた太陽電池

Inventor：
ピエリック・ビュヴァ

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ファブリス・オドベル

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コラリ・フアナール

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エロール・ブラート

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Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

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Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008546489
Publication number (International publication number)：2009520861
Application date： Dec. 22, 2006
Publication date： May. 28, 2009
Summary：
化学式(I)の錯体であって -Fは半導性多孔質酸化セラミックの基板に化学的なグラフトを可能にする一つまたはそれ以上の基を表し、 -Sは半導性多孔質酸化セラミックに対する増感基を表し、 -Cは導電性ポリマーであり、 -Eは増感体Sを導電性ポリマーから電気的に絶縁することを可能にする非共役スペーサ基、であることを特徴とする錯体。 それらの製造方法。 化学式(I)の錯体が化学的にグラフトされる多孔質酸化セラミックの基板を備えるpn型半導体無機/有機ハイブリッド物質。 前記物質を備える光電池。
Claim (excerpt)：
化学式(I)の錯体であって
IPC (5)：
C09B 57/10 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00 ,  C09K 3/00 ,  C08G 61/12
FI (5)：
C09B57/10 ,  H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P ,  C09K3/00 T ,  C08G61/12
F-Term (29)：
4H050AA01 ,  4H050AB76 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA07 ,  4J032BA13 ,  4J032CB01 ,  4J032CG01 ,  5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051FA01 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE04 ,  5H032EE08 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 国際公開第93/19479号パンフレット
  • 欧州特許第1176646号明細書
  • 欧州特許出願第0917208号明細書
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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