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J-GLOBAL ID：200903090630506357

窒化物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317848
Publication number (International publication number)：1996330630
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 静電耐圧が大きい窒化物半導体発光素子を実現して、窒化物半導体発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 活性層5と第一のp型クラッド層6との間に、少なくともインジウムを含むp型の窒化物半導体、またはp型のGaNよりなる第二のp型クラッド層60が形成されている。

Claim (excerpt)：

活性層とp型クラッド層との間に、少なくともインジウムを含むp型の窒化物半導体、またはp型のGaNよりなる第二のp型クラッド層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社