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J-GLOBAL ID：200903090673264861

カーボンナノチューブ膜の製造方法

Inventor： 谷 由加里 ,  柴田 典義 ,  楠 美智子
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター
Agent (1)： 小島 清路
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282214
Publication number (International publication number)：2000109308
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 自立しており、かつ大面積のカーボンナノチューブ膜および多様な表面形状を有するカーボンナノチューブ膜を安価に製造可能な、カーボンナノチューブ膜の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ3上に、炭化ケイ素結晶をエピタキシャル成長させることにより炭化ケイ素単結晶薄膜4を形成させ、次いで、上記炭化ケイ素単結晶薄膜4が形成された上記シリコンウェハ3を腐食液に浸すエッチング処理により上記炭化ケイ素単結晶薄膜4を上記シリコンウェハ3から分離し、さらに、微量酸素を含む真空中あるいは酸素を含む不活性ガス中において上記炭化ケイ素単結晶薄膜4を高温に加熱する高温加熱処理により、上記炭化ケイ素単結晶薄膜4をカーボンナノチューブ膜2に変換する。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に、炭化ケイ素結晶をエピタキシャル成長させることにより炭化ケイ素単結晶薄膜を形成させ、次いで、上記炭化ケイ素単結晶薄膜が形成された上記シリコン単結晶基板を腐食液に浸すエッチング処理により上記炭化ケイ素単結晶薄膜を上記シリコン単結晶基板から分離し、さらに、微量酸素を含む真空中あるいは酸素を含む不活性ガス中において上記炭化ケイ素単結晶薄膜を高温に加熱する高温加熱処理により、上記炭化ケイ素単結晶薄膜からカーボンナノチューブ膜を形成させることを特徴とするカーボンナノチューブ膜の製造方法。

IPC (6)：

C01B 31/02 101 ,  B01D 71/02 500 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/36 ,  C30B 29/66 ,  C30B 33/02

FI (6)：

C01B 31/02 101 F ,  B01D 71/02 500 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/36 A ,  C30B 29/66 ,  C30B 33/02

F-Term (18)：

4D006GA41 ,  4D006MA03 ,  4D006MA31 ,  4D006MA40 ,  4D006MC05X ,  4D006NA39 ,  4D006NA50 ,  4D006PC01 ,  4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EE01 ,  4G077TK01