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J-GLOBAL ID：200903090723859055

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 牧田 直樹 ,  宮本 忠芳
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994288134
Publication number (International publication number)：1996148425
Application date： Nov. 22, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 結晶化を助長する金属元素を用いた600°C以下の熱処理による非晶質ケイ素膜103の結晶化を、基板面内での均一性及び基板間での再現性よく行うことができ、しかも通常の熱処理により得られる結晶性よりさらに良好な結晶性を有する結晶性ケイ素膜を形成して、半導体素子10の高性能化及びその活性領域103iにおける金属元素量の低減を同時に図る。【構成】 基板表面の絶縁性下地膜102上に非晶質ケイ素膜103を形成し、この上に該非晶質ケイ素膜の結晶化を助長するケイ化金属膜105を直接形成し、その後加熱によって該非晶質ケイ素膜103を結晶化させるようにした。

Claim (excerpt)：

絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に設けられ、非晶質ケイ素膜に接するケイ化金属膜を結晶成長の触媒として、該非晶質ケイ素膜を加熱処理により結晶化してなる活性領域とを備えた半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048531   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体素子の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079002   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-078998   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所