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J-GLOBAL ID：200903090747787101

半導体レーザおよびその製法

Inventor： 虫上 雅人 ,  手銭 雄太 ,  村山 実
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994328339
Publication number (International publication number)：1996186324
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザにおいて、電流阻止層を選択的にエッチングできるものとし、製造プロセスの簡略化と量産性の向上をはかる。【構成】 GaAsおよびAlGaAsを主体とした半導体材料から構成される半導体レーザにおいて、電流阻止層にAlGaInPを用いる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の上部第1クラッド層、ストライプ状の開口部を備えた第1導電型の電流阻止層および第2導電型の上部第2クラッド層が、順次積層されてなり、前記下部クラッド層、上部第1クラッド層および上部第2クラッド層、活性層の各々が、組成式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(xは、0≦x<1、ただし、活性層においては0≦x≦0.3の範囲内で層ごとに所定の値)で表される化合物半導体からなるとともに、前記電流阻止層が、組成式:(Al<SB>v</SB>Ga<SB>1-v</SB>)<SB>z </SB>In<SB>1-z</SB>P(zは約0.5)で表される化合物半導体からなる半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-213181
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-279907   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-006949   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平2-213181