真空成膜装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998181244
Publication number (International publication number)：2000017429
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマ放電を連続して安定させ、安定した薄膜の形成を行なうことができる真空成膜装置を提供する。【解決手段】プラズマガン11により真空チャンバ12内に向けてプラズマビーム22を生成する。このプラズマガン11の出口部に向けて短管部12Aが突出し、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。プラズマビーム22によりるつぼ19内の成膜材料20が蒸発し、蒸発した成膜材料20により基板13上に薄膜が形成される。プラズマガン11の出口部にこのプラズマビーム22の周囲を取囲む電子帰還電極2が設けられている。真空チャンバ12内には真空チャンバ12から電気的に浮遊状態となる防着板40が設けられている。

Claim (excerpt)：

被成膜体が配置されるとともに接地された真空チャンバと、真空チャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させて成膜材料に照射させ、この成膜材料を被成膜体に蒸着させて薄膜を形成する永久磁石および収束コイルを用いる制御手段と、真空チャンバ内のうちプラズマガン側にプラズマビーム外周を取囲んで設けられ、成膜材料に照射されたプラズマビームから生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極とを備え、真空チャンバ内面に、真空チャンバから電気的に浮遊状態となっている防着板を設けたことを特徴とする真空成膜装置。

F-Term (9)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BD02 , 4K029CA03 , 4K029DD03 , 4K029DE02 , 4K029EA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭62-103362
イオンプレーティング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-044573 Applicant：日本電子株式会社
イオンプレーティング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062527 Applicant：日本電子株式会社

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