アモルファスシリコンダイオードによるイメージセンサアレイ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤公久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000106873
Publication number (International publication number)：2000340780
Application date： Apr. 07, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板上の複数のアクティブ画素センサを、製造容易である比較的単純で構成によって互いに隔離し、画素センサ間の結合を減らす。【解決手段】イメージセンサアレイ装置は、基板200に近接する相互接続構造体210、及び相互接続構造体210に接続されたイメージセンサのアレイを有する。相互接続構造体210に近接して、アモルファスシリコン電極層250が設けられる。アモルファスシリコン電極層250は、画素電極領域230の間を物理的に隔離する電極イオン注入領域を240を含む。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板に近接する相互接続構造体と、該相互接続構造体に近接して設けられ、該相互接続構造体に電気的に接続されたイメージセンサのアレイの陰極を画成する画素電極領域の間に物理的な隔離を提供する電極イオン注入領域を含むアモルファスシリコン電極層と、前記イメージセンサのそれぞれの内側層を形成する、前記アモルファスシリコン電極層に近接するアモルファスシリコンI層と、内面が前記イメージセンサの陽極と前記相互接続構造体に電気的に接続された、前記イメージセンサに近接して形成された透明電極層と、を備えることを特徴とするイメージセンサアレイ装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 E , H01L 31/10 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開昭60-047574
特開昭60-047574
特開平1-261863

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