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J-GLOBAL ID：200903090851802791

半導体ウエハおよびその製造方法ならびに半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 鈴木 範夫 ,  清田 省吾 ,  清水 博文 ,  斎藤 滋晃 ,  佐藤 友美 ,  松田 安司 ,  杉野 雄史 ,  田中 利秀 ,  磯前 誠一 ,  武田 一男 ,  石原 徹也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997007006
Publication number (International publication number)：1998209170
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ゲッタリング能力およびゲート酸化膜特性(GOI)の向上したMISデバイス用エピタキシャルウエハを安価に提供する。【解決手段】 チョクラルスキ(CZ)法によって製造した単結晶シリコンウエハの主面上にエピタキシャル層を成長させた本発明のエピタキシャルウエハは、エピタキシャル成長後の単結晶シリコンウエハの微少欠陥密度が1×106 〜1×109 個/cm3である。また、エピタキシャル層は、その膜厚が0.3〜3μmであり、単結晶シリコンウエハ1と同一導電型の不純物(ホウ素)を3×1016atoms/cm3 未満含んでいる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキ法によって製造した単結晶シリコンウエハの主面上にエピタキシャル層を成長させた半導体ウエハであって、エピタキシャル成長後の前記単結晶シリコンウエハの微少欠陥密度(BMP密度)が1×106〜1×109 個/cm3であることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (13)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/205

FI (8)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 371