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J-GLOBAL ID：200903090875561205

炭素膜形成のためのプラズマCVD法及び装置

Inventor： 中東 孝浩 ,  桑原 創
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995030622
Publication number (International publication number)：1995278822
Application date： Feb. 20, 1995
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制することができるとともに成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて成膜することができる炭素膜形成のためのプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】 プラズマCVD法及び装置において、原料ガスとして所定の炭素膜を形成するための炭化水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれと共に所定の炭素膜を形成するための異種ガスを用いるとともに、該ガスのプラズマ化を、10MHz以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の10000分の1以上、10分の1以下の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を印加することで炭素膜を形成する。

Claim (excerpt)：

成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を行うプラズマCVD法において、前記原料ガスとして所定の炭素膜を形成するための炭化水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれと共に所定の炭素膜を形成するための該炭化水素化合物ガスとは異なる種類のガスを用いるとともに、該原料ガスのプラズマ化を、10MHz以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の10000分の1以上、10分の1以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を印加することで行う炭素膜形成のためのプラズマCVD法。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公平4-033864
  
• 特開昭62-188783
  
• プラズマCVD法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211126   Applicant：日新電機株式会社