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J-GLOBAL ID：200903090879045759

CVD装置及び処理方法

Inventor： 須田 敦彦
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995031507
Publication number (International publication number)：1996199364
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Aug. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】CVD装置及び処理方法に於いて、プラズマ密度を高めて成膜処理効率を向上させると共に清浄範囲を最小限に限定し、清浄効率を向上させ、ひいてはCVD装置の稼働率を向上させる。【構成】外槽室29内に内槽室10を形成し、該内槽室に被処理基板16を収納可能とすると共に該内槽室でプラズマを発生させるよう構成し、或は外槽室の圧力を検出する圧力検出器30を設け、外槽室の圧力を制御して反応処理を行うので、プラズマの発生領域が内槽室に限定され、プラズマ密度が向上し、更に反応副生成物の付着範囲を限定できるので、清掃が効率よく行える。

Claim (excerpt)：

外槽室内に内槽室を形成し、該内槽室に被処理基板を収納可能とすると共に該内槽室でプラズマを発生させるよう構成したことを特徴とするCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-341714   Applicant：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社