p型炭化珪素半導体及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995219255
Publication number (International publication number)：1997063968
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】ホウ素をドーピングした炭化珪素半導体においてキャリア濃度、活性化率を高くする。【解決手段】炭素と珪素とを含んだガスを流すと同時にホウ素を含んだガスを流すことによりn<SP>- </SP>型炭化珪素半導体層2の上にp型炭化珪素半導体層3を気相成長する際に、結晶成長に寄与する炭素の供給量Q<SB>C </SB>と、結晶成長に寄与する珪素の供給量Q<SB>Si</SB>との間に、1<Q<SB>C </SB>/Q<SB>Si</SB><5の関係を満たしている。形成されたp型炭化珪素半導体層3においては、成分元素である炭素の原子密度d<SB>C </SB>と珪素の原子密度d<SB>Si</SB>との間に、1<d<SB>C </SB>/d<SB>Si</SB>≦32/31の関係があり、浅いアクセプタレベルをもつ高キャリア濃度、高キャリア活性化率となっている。

Claim (excerpt)：

アクセプタ不純物としてホウ素をドーピングした単結晶炭化珪素半導体において、成分元素である炭素の原子密度d<SB>C </SB>と珪素の原子密度d<SB>Si</SB>との間に、1<d<SB>C</SB>/d<SB>Si</SB>≦32/31の関係があることを特徴とするp型炭化珪素半導体。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 658 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平4-124815
SiC単結晶薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-256796 Applicant：九州工業大学長, 三菱化学株式会社
シリコン積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-300468 Applicant：東燃株式会社

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Cited by examiner (13)

特開平4-124815
SiC単結晶薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-256796 Applicant：九州工業大学長, 三菱化学株式会社
シリコン積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-300468 Applicant：東燃株式会社

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