光露光用マスクの検査方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993130426
Publication number (International publication number)：1994342207
Application date： Jun. 01, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】現状のマスク製造装置を用いて、近接効果の影響を受けて設計データと異なる形状を持つ光露光用マスクを正しく検査する。【構成】半導体集積回路製造工程で用いられる光転写用マスクのパターン検査の際に、破線で示す設計データの一部分を変化させて図(b)の実線で示す検査用データを作製し、この検査用データと実際に形成された図(a)の実線で示すマスクパターンとを比較検査することによりマスク欠陥検査を行う。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路製造工程で用いられる光転写用マスクのパターン検査の際に、設計データの一部分を変化させて検査用データを作製し、この検査用データと実際に形成されたマスクパターンとを比較検査することによりマスク欠陥検査を行うことを特徴とする光露光用マスクの検査方法。

IPC (5)：

G03F 1/08 , G01B 11/24 , G06F 15/62 405 , G06F 15/70 455 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平4-345163
パターン描画方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-161429 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭58-147114

Cited by examiner (5)

特開平4-345163
パターン描画方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-161429 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭58-147114

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