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J-GLOBAL ID：200903091281786939
光起電力素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264631
Publication number (International publication number)：1999103081
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：
【要約】【課題】 素子間の直列接続を行うための半田付けを容易に行え、その半田密着性が良好である光起電力素子を提供する。【解決手段】 n型の結晶系シリコン基板1の光入射側に、i型の非晶質シリコン層2,p型の非晶質シリコン層3,ITOからなる透光性導電膜4をこの順に積層し、また、結晶系シリコン基板1の光透過側に、i型の非晶質シリコン層6,n型の非晶質シリコン層7,ITOからなる透光性導電膜8をこの順に積層し、透光性導電膜4,8上にAgからなる櫛形の集電極5,9を形成し、更に、集電極5,9の表面を含む透光性導電膜4,8上にAgからなる導電性膜10,11を設ける。
Claim (excerpt)：
非晶質半導体層上に、透光性導電膜を介して集電極を備えた光起電力素子において、前記集電極の上面に導電性膜を備えることを特徴とする光起電力素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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