Pat

J-GLOBAL ID：200903091293169692

シリコン上に集積された強誘電体キャパシタ用の電極構造および作成方法

Inventor： ドーテ,アニル,エム. ,  ラメシュ,ラマムーアシー
Applicant, Patent owner： テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド ,  ユニバーシティ オブ メリーランド
Agent (1)： 谷 義一 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997518425
Publication number (International publication number)：2000509200
Application date： Dec. 17, 1996
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】強誘電体層(50)を間に挟む2つの金属酸化物電極(46、52)からなる強誘電体スタックが好ましくはTiN(42)の介在バリア層を備えたシリコン基板(40)上に製作される、強誘電体キャパシタ構造およびその作成方法である。一実施例では、強誘電体スタックの結晶配向性成長をもたらす十分高い温度でTiNと下部金属酸化物電極との間で白金層(44)が成長する。他の実施例では、白金層が完全に除去され、下部電極(46)がTiN(42)上で直接成長している。電極で使用する従来の導電性金属酸化物は酸化ランタンストロンチウムコバルト(LSCO)であるが、酸化ランタンニッケルは強誘電体セルで良好な電気特性および寿命特性を提供する。あるいは、この電極は、酸化ネオジム(NdO)などの岩塩金属酸化物から形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、 前記シリコン基板の上に形成された耐火金属とアニオンとの導電性化合物を含むバリア層と、 前記バリア層のすぐ上に形成された白金層と、 強誘電体層と前記強誘電体層を間に挟む2つの金属酸化物層とを含み、前記白金層のすぐ上に形成された強誘電体スタックと、 を含むことを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  H01G 2/06 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (5)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01G 1/035 E ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体薄膜の製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-215816   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-030526
  
• マイクロ電子構造体とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-196834   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー