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J-GLOBAL ID：200903091312434106

SOI基板の製造方法

Inventor： 佐々木 勉 ,  松村 篤樹
Applicant, Patent owner： シルトロニック・ジャパン株式会社
Agent (7)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史 ,  藤田 健 ,  都祭 正則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004078407
Publication number (International publication number)：2005268511
Application date： Mar. 18, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】 SOI領域と非SOI領域との間に段差がない、健全な部分SOI構造をSIMOX法で工業的に製造する方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶からなる半導体基板の表面にイオン注入に対するマスクを形成するための保護膜を形成する工程と、前記保護膜に開口部を形成し、所定のパターン付きマスクとする工程と、前記半導体基板の表面から酸素イオンを注入する工程と、マスクを除去せずに前記半導体基板を熱処理して前記半導体基板の内部に埋込み酸化膜を形成する工程とを含むSOI基板の製造方法であって、前記パターン付きマスクが形成されるマスク部分を前記保護膜形成前に予め凹部としておくことを特徴とするSOI基板の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶からなる半導体基板の表面にイオン注入に対するマスクを形成するための保護膜を形成する工程と、前記保護膜に開口部を形成し、所定のパターン付きマスクとする工程と、前記半導体基板の表面から酸素イオンを注入する工程と、マスクを除去せずに前記半導体基板を熱処理して前記半導体基板の内部に埋込み酸化膜を形成する工程とを含むSOI基板の製造方法であって、前記パターン付きマスクが形成されるマスク部分を前記保護膜形成前に予め凹部としておくことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

FI (3)：

H01L27/12 E ,  H01L21/265 M ,  H01L21/265 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-120488   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-120489   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社