Pat
J-GLOBAL ID：200903020883817130

SOI基板の製造方法

Inventor：
高松 勝

About 高松 勝

, 
神山 栄治

About 神山 栄治


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアルシリコン株式会社

About 三菱マテリアルシリコン株式会社


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000120488
Publication number (International publication number)：2001308025
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】 パターン形成した埋込み酸化膜のエッジ領域を基板本体の表面に露出させず、これにより基板本体の表面に不要な凹溝が形成されたり、或いは埋込み酸化膜に不要な空洞が形成されるのを防止する。【解決手段】 先ずシリコン単結晶からなる基板本体12の表面に表面酸化膜14を形成し、表面酸化膜14の表面に所定のパターンのレジスト層16を形成する。次いでレジスト層16をマスクにして表面酸化膜14を基板本体12の表面に対して垂直方向に異方性エッチングを行い、レジスト層16を除去して基板本体12を洗浄する。次に表面酸化膜14をマスクにして基板本体12の表面に垂直に酸素イオン22を注入し、基板本体12を1300°C以上でアニール処理して基板本体12の内部に埋込み酸化膜13を形成する。更に表面酸化膜14を除去する。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶からなる基板本体(12)の表面に表面酸化膜(14)を形成する工程と、前記表面酸化膜(14)の表面に所定のパターンのレジスト層(16)を形成する工程と、前記レジスト層(16)をマスクにして前記表面酸化膜(14)を前記基板本体(12)の表面に対して垂直方向に異方性エッチングを行う工程と、前記レジスト層(16)を除去して前記基板本体(12)を洗浄する工程と、前記表面酸化膜(14)をマスクにして前記基板本体(12)の表面に垂直に酸素イオン(22)を注入する工程と、前記基板本体(12)を1300°C以上でアニール処理して前記基板本体(12)の内部に埋込み酸化膜(13)を形成した後に前記表面酸化膜(14)を除去する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (7)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/8236 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786
FI (6)：
H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 M ,  H01L 27/08 311 B ,  H01L 29/78 613 Z
F-Term (15)：
5F048AA04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA09 ,  5F048BB05 ,  5F048BG05 ,  5F110AA26 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体記憶装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-274210   Applicant：新日本製鐵株式会社
  • 特開昭61-220457
  • 特開昭64-033924
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM