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J-GLOBAL ID：200903091333807077

n型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法

Inventor： 茜 俊光 ,  杉岡 幸次 ,  緑川 克美
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240839
Publication number (International publication number)：2001068431
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】各種のn型化合物半導体基板の表面にオーム性電極を形成する。【解決手段】n型化合物半導体の表面にオーム性電極を形成するためのn型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法において、n型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第1のステップと、第1のステップにおいてレーザー光を照射されたn型化合物半導体の表面の領域に導体を形成する第2のステップとを有する。

Claim (excerpt)：

n型化合物半導体の表面にオーム性電極を形成するためのn型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法において、n型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第1のステップと、前記第1のステップにおいて前記レーザー光を照射された前記n型化合物半導体の表面の領域に導体を形成する第2のステップとを有するn型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法。

F-Term (8)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭57-143825
  
• 特開昭59-098528
  
• 半導体の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-162057   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147704   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-302173
  
• 特開平4-199752